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我が国の発明した「量子フラッシュメモリ」技術が、共面のドレイン‐チャネル‐ソース「統一（帰一）」構造の構築に成功し、室温環境下で初めて単一電子の非揮発性記憶挙動を明確に観測した
MarsBitNews
2026-07-17 01:45:29
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火星财经のニュース。復旦大学の集積回路・微細電子イノベーション学院である集積回路と微細ナノ電子の全国重点実験室、周鹏-刘春森研究チームは、北京時間7月17日未明に『サイエンス』（Science）で重大な成果を発表しました。彼らが発明した「量子フラッシュ」（Quantum Flash）技術により、同一平面上のドレイン-チャネル-ソース「帰一」構造を成功裏に構築し、室温（27℃）環境下で初めて、単一電子の非揮発性メモリ動作を明確に観測することに成功しました。これは「単一電子の記憶は実現できない」という従来の認識を完全に覆すだけでなく、単一電子の量子記憶の新たな理論体系を切り開き、さらにAI時代の計算能力の革命に向けた重要な理論基盤を築きます。本研究では、電荷蓄積の情報密度を理論上の極限まで引き上げ、「1電子=1ビット」を実現しました。加えて、人工汎用知能（AGI）に向けた高密度メモリの開発に対して、新たな技術的基盤を提供しています。現在、チームは、基礎材料からデバイス革新、高度なチップ集積と応用までを体系的に全工程でつなげました。「破晓」によりアクセス速度のブレークスルーを実現し、「归壹」で密度の極限問題を解決し、「长缨」で既存のCMOSシリコンプロセスと互換な試作チップの検証を完了しました。（澎湃新闻）
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