จีนพัฒนาทรานซิสเตอร์ซิลิกอน-กราฟีน-เจอร์เมเนียมที่ผ่านการทดสอบ RF รุ่นแรก โดยมีความถี่ตัดออฟที่ 132GHz เมื่อวันที่ 6 มิถุนายน

ตามรายงานของ Science and Technology Daily สถาบันวิจัยโลหะ (Institute of Metal Research) ของสถาบันวิทยาศาสตร์แห่งประเทศจีน (Chinese Academy of Sciences) ได้พัฒนาทรานซิสเตอร์เฮเทอโรจังก์ชันซิลิคอน-กราฟีน-เจอร์เมเนียมตัวแรกของโลกสำเร็จ โดยมีการทดสอบด้านความถี่วิทยุ (RF) ที่แสดงผลสำเร็จเมื่อวันที่ 6 มิถุนายน ในการวัด RF อุปกรณ์ดังกล่าวทำได้ความถี่คัตออฟเชิงเนื้อแท้ (intrinsic cutoff frequency) ที่ 132GHz ซึ่งถือเป็นสถิติใหม่สำหรับทรานซิสเตอร์โครงสร้างฐานแบบ 2 มิติในแนวตั้ง (vertical two-dimensional base-region transistors) งานวิจัยที่ตีพิมพ์ใน Nature Communications ยังแสดงอัตราการขยายกระแสของทรานซิสเตอร์สูงที่สุดเป็นประวัติการณ์อีกด้วย การวิเคราะห์เชิงการสร้างแบบจำลองระบุว่า ความถี่การทำงานตามทฤษฎีของอุปกรณ์อาจเกิน 1THz ซึ่งจะเข้าสู่แถบการประยุกต์ใช้งานเทราเฮิรตซ์ (terahertz)
news.article.disclaimer

news.related.news

แสดงความคิดเห็น
0/400
ไม่มีความคิดเห็น