三星电子加速研发下一代高带宽内存,首批HBM4E将于5月生产

火星财经消息 4月17日消息,据报道,三星电子正全力推进其下一代高带宽内存(HBM)产品的研发进程,力求在高端人工智能内存市场进一步巩固自身的优势。报道指,三星电子计划最早于2026年5月生产出首批符合英伟达标准的HBM4E样品。业内人士透露,三星有着明确且紧凑的时间规划。其目标是在下月中旬之前,让代工部门成功生产出HBM4E核心逻辑芯片的样品。(广角观察)

此页面可能包含第三方内容,仅供参考(非陈述/保证),不应被视为 Gate 认可其观点表述,也不得被视为财务或专业建议。详见声明
  • 赞赏
  • 评论
  • 转发
  • 分享
评论
请输入评论内容
请输入评论内容
暂无评论