Gate 廣場創作者新春激勵正式開啟,發帖解鎖 $60,000 豪華獎池
如何參與:
報名活動表單:https://www.gate.com/questionnaire/7315
使用廣場任意發帖小工具,搭配文字發布內容即可
豐厚獎勵一覽:
發帖即可可瓜分 $25,000 獎池
10 位幸運用戶:獲得 1 GT + Gate 鸭舌帽
Top 發帖獎勵:發帖與互動越多,排名越高,贏取 Gate 新年周邊、Gate 雙肩包等好禮
新手專屬福利:首帖即得 $50 獎勵,繼續發帖还能瓜分 $10,000 新手獎池
活動時間:2026 年 1 月 8 日 16:00 – 1 月 26 日 24:00(UTC+8)
詳情:https://www.gate.com/announcements/article/49112
有個問題容易被忽視:當我們沉浸在財務數據和市場預期裡,往往忽視了物理世界的鐵律。晶片產業正在步入關鍵的轉折點——摩爾定律的平面微縮已經走到盡頭。
現實很殘酷。單純依靠縮小晶體管尺寸來提升性能和密度的時代基本結束了。產能擴張遇到了物理極限。這不是資本能砸出來的問題,而是物理學的約束。
那麼破局點在哪?垂直堆疊。這是現在業界公認的唯一出路。3D NAND存儲晶片的發展就是最好的案例——通過縱向堆疊晶體層,在相同的晶片面積上實現指數級的容量提升。這不僅繞過了平面微縮的死胡同,還打開了全新的產能想像空間。
關鍵是,這種產能釋放需要時間、工藝驗證和成本投入。產業能否順利過渡,直接影響整個鏈條的供應格局和價格預期。