Samsung y Broadcom firman una asociación de semiconductores de IA hasta 2030 $200B

Samsung Electronics firmó el 24 (hora local) un memorando de entendimiento de asociación estratégica con Broadcom en la Cumbre de IA en San Francisco. La colaboración, valorada en más de 200 mil millones de dólares (aproximadamente 280 billones de won), se extenderá hasta 2030 y se centrará en construir la infraestructura central de inteligencia artificial de próxima generación. La asociación aborda la creciente adopción de circuitos integrados específicos para aplicaciones personalizadas por parte de grandes empresas tecnológicas globales, combinando las fortalezas de diseño de semiconductores personalizados de Broadcom con las capacidades de memoria, foundry y empaquetado de Samsung para mejorar la competitividad de los semiconductores para IA.

A la ceremonia de firma asistieron Han Jin-man, presidente del negocio de Foundry de Samsung Electronics; Hock Tan, CEO de Broadcom; ejecutivos de ambas compañías; y funcionarios del gobierno. El presidente Lee Jae-myung y el presidente del consejo de Samsung Electronics, Lee Jae-yong, también estuvieron presentes en el evento.

La asociación Samsung-Broadcom cubre memoria, foundry y empaquetado hasta 2030

Las dos compañías ampliarán la cooperación en memoria, foundry y empaquetado avanzado durante los próximos cinco años. Samsung Electronics suministrará a las aceleradoras de IA de próxima generación de Broadcom productos avanzados de memoria, incluyendo memoria de ancho de banda alto. La asociación aplicará procesos de foundry de 2 nanómetros y por debajo, así como tecnologías avanzadas de empaquetado, a los productos principales de Broadcom.

Samsung suministra HBM4 y aplica el proceso de foundry de 2 nm a los productos de Broadcom

Samsung Electronics produjo en masa y envió HBM4 aplicando tecnología base die de 1c DRAM y 4 nm en febrero. En mayo, la empresa suministró muestras de HBM4E a los clientes. La memoria HBM de Samsung se utilizará para mejorar el rendimiento computacional y la eficiencia energética de las aceleradoras de IA de Broadcom.

En el sector de foundry, la asociación aplicará procesos de 2 nanómetros y por debajo a los productos principales de Broadcom, incluidos los semiconductores de comunicaciones de datos de alta velocidad de próxima generación. Las compañías planean acortar los periodos de desarrollo de productos conectando el diseño de semiconductores, la optimización de procesos, el empaquetado y la producción en masa.

Ejecutivos subrayan soluciones integradas de semiconductores para la era de la IA

Jeon Young-hyun, vicepresidente del consejo de Samsung Electronics y responsable de la división DS, afirmó que “en la era de la IA, las soluciones de semiconductores que integran estrechamente memoria, lógica y empaquetado avanzado son importantes”. Añadió: “Ampliaremos la cooperación con Broadcom para acelerar el desarrollo de la infraestructura futura de IA y ofrecer un mayor valor a los clientes”.

Charlie Kawas, presidente del Semiconductor Solutions Group de Broadcom, dijo: “A través de la cooperación con Samsung Electronics, crearemos soluciones de próxima generación optimizadas para diversificar las demandas del mercado”.

Preguntas frecuentes

¿Cuál es el valor de la asociación Samsung-Broadcom anunciada el 24?

La asociación estratégica entre Samsung Electronics y Broadcom está valorada en más de 200 mil millones de dólares (aproximadamente 280 billones de won) y se extenderá hasta 2030. La colaboración cubre memoria, foundry y empaquetado avanzado para el desarrollo de infraestructura de IA.

¿Qué productos específicos de Samsung usará Broadcom en sus aceleradoras de IA?

Broadcom utilizará los productos de memoria de ancho de banda alto de Samsung, incluidos HBM4 y HBM4E, en sus aceleradoras de IA de próxima generación. Samsung produjo en masa HBM4 en febrero y suministró muestras de HBM4E a los clientes en mayo. La asociación también aplicará los procesos de foundry de 2 nanómetros y por debajo de Samsung a los productos principales de Broadcom.