El rendimiento de Samsung HBM4E supera el 70%, el proceso D1d DRAM apunta a la aprobación de producción en noviembre.

Según el CTO de la división DS de Samsung Electronics, Song Jae-hyuk, el rendimiento de las pruebas de fiabilidad de HBM4E ha superado el 70% a fecha del 30 de junio, y el desarrollo ha entrado en una fase estable. La compañía, que comenzó la producción en masa de HBM4 en febrero, está avanzando su tecnología de proceso DRAM de próxima generación D1d con el objetivo de obtener la aprobación de preparación para la producción en noviembre. D1d se aplicará a los HBM5 de Samsung y a productos posteriores.
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