Samsung implementará el proceso de 2 nm para la memoria de IA HBM5, que será un 50% más rápida que la HBM4E.

Según Chosun Daily, el 27 de julio, Samsung Electronics anunció planes para utilizar su proceso de 2 nanómetros para la oblea base de su memoria de quinta generación de alto ancho de banda (HBM5) de su octava generación. La compañía afirmó que HBM5 procesará datos más de un 50% más rápido que los chips HBM4E actuales, utilizando una oblea base de 2 nm Gate-All-Around y TSV (vías de silicio a través) mejoradas para mejorar la velocidad y la eficiencia energética.
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