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De acordo com a Chosun Daily, em 27 de julho a Samsung Electronics anunciou planos para usar seu processo de 2 nanômetros para o die base de sua oitava geração de memória de alta largura de banda (HBM5). A empresa disse que a HBM5 vai processar dados mais de 50% mais rápido do que os chips atuais HBM4E, usando um die base de 2nm Gate-All-Around e TSVs (vias através do silício) aprimoradas para melhorar a velocidade e a eficiência energética.

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