22 de junho de 2026 assinalou um marco histórico para os mercados de capitais da Coreia do Sul. Durante a sessão, as ações da SK Hynix (000660.KS) dispararam para um máximo histórico de 2,95 milhões KRW, elevando a sua capitalização bolsista para 208,1 biliões KRW e, pela primeira vez, ultrapassando a Samsung Electronics (005930.KS), que se situou nos 207,3 biliões KRW. Este acontecimento pôs fim a um domínio de 26 anos da Samsung Electronics como empresa mais valiosa da Coreia do Sul — posição que detinha desde novembro de 2000.
Por detrás deste salto histórico está uma mudança de poder na indústria dos semicondutores de memória, impulsionada pela inteligência artificial generativa. A High Bandwidth Memory (HBM), agora componente central nos aceleradores de IA, está a transformar profundamente o panorama competitivo do mercado tradicional de DRAM. A SK Hynix, durante anos segunda classificada no ranking de capitalização bolsista sul-coreano, capitalizou numa aposta certeira e numa vantagem de pioneirismo na tecnologia HBM. Esta aposta estratégica não só conferiu à SK Hynix uma vantagem decisiva sobre a Samsung Electronics, como consolidou o seu papel insubstituível na cadeia global de fornecimento de memória para IA. Este artigo analisa sistematicamente a lógica subjacente a esta transição de poder nos semicondutores, explorando a evolução do mercado HBM, as diferentes estratégias tecnológicas dos dois gigantes, a dinâmica da cadeia de fornecimento da NVIDIA e a lógica de valorização sob a perspetiva do investidor.
Crescimento Explosivo do Mercado HBM: De Nicho a Território Estratégico
A rápida expansão do mercado HBM está a redefinir a trajetória de crescimento de toda a indústria de chips de memória. Dados do setor apontam para um mercado global de HBM a atingir 54,6 mil milhões $ em 2026, um aumento de 58% face aos 34,6 mil milhões $ em 2025. Isto representará quase 40% do mercado total de DRAM. Segundo a World Semiconductor Trade Statistics (WSTS), o mercado global de semicondutores deverá alcançar 97,5 mil milhões $ em 2026, com a quota da HBM a crescer de forma acentuada.
Do lado da procura, a rápida evolução das plataformas Blackwell e Rubin da NVIDIA, aliada à tendência global dos fornecedores de serviços cloud (CSP) desenvolverem chips de IA próprios, são motores duplos que impulsionam a procura por HBM. A evolução dos modelos de IA, do treino à inferência e à IA agente, reforça a procura sustentada por memória de alto desempenho. Do lado da oferta, embora Samsung, SK Hynix e Micron tenham alocado 70% da capacidade nova ou flexível à HBM, o défice de oferta mantém-se entre 50% e 60%. Este desequilíbrio estrutural sustenta preços elevados para a HBM.
Neste superciclo, a HBM evoluiu de produto periférico no ciclo tradicional de DRAM para um ativo estratégico escasso que determina agora o desempenho global dos sistemas de IA.
SK Hynix vs. Samsung: Mudanças de Quotas no Mercado HBM
Embora diferentes consultoras apresentem valores ligeiramente distintos devido às suas metodologias, todas confirmam a liderança da SK Hynix no segmento HBM.
Segundo a TrendForce, em 2026, a SK Hynix deverá deter cerca de 50% da produção global de bits HBM, com a Samsung nos 28% e a Micron nos 22%. A Counterpoint Research apresenta uma previsão mais detalhada, estimando que a SK Hynix dominará 54% do mercado HBM4 em 2026, com a Samsung nos 28% e a Micron nos 18%. Os dados da Visible Alpha para o primeiro trimestre de 2026 colocam a SK Hynix nos 51,4%, a Samsung nos 21,2% e a Micron nos 27,4%. Outras análises de mercado apontam para uma quota global de HBM de 61% para a SK Hynix, 17% para a Samsung e 21% para a Micron.
Apesar das discrepâncias, todos os dados convergem para a mesma conclusão: a SK Hynix lidera de forma destacada o mercado HBM, com a Samsung a larga distância. Contudo, após contratempos nas certificações e fornecimento de HBM3E, a Samsung está agora a acelerar para recuperar terreno na janela HBM4/HBM4E.
No mercado mais amplo de DRAM, a Samsung mantém ainda a liderança global. No primeiro trimestre de 2026, a receita de DRAM da Samsung atingiu 37,32 mil milhões $, um aumento de 93,4% face ao trimestre anterior, com uma quota de mercado de 38,5% — mantendo o primeiro lugar. A SK Hynix registou 27,98 mil milhões $ em receitas, um crescimento de 62,5% em cadeia, com uma quota de 28,8%, ocupando o segundo lugar. Esta comparação é clara: a capitalização bolsista da SK Hynix superar a da Samsung não resulta do domínio global em DRAM, mas sim do prémio de valorização associado à sua liderança absoluta no segmento HBM de margens elevadas.
Roadmaps Tecnológicos e Corrida à Capacidade: HBM4 como Próximo Campo de Batalha
O ritmo de evolução geracional da HBM está a acelerar, e a HBM4 é amplamente vista como o ponto de inflexão para a próxima fase competitiva.
A Samsung lidera na certificação da HBM4 e prevê iniciar a produção em massa após concluir a certificação no segundo trimestre de 2026. A empresa planeia aumentar o nó DRAM 1c para uma capacidade mensal de cerca de 150 000 wafers para produção de HBM4 até ao final de 2026, estando também a construir uma nova linha avançada de DRAM nas instalações Pyeongtaek P4, com uma produção mensal prevista de 120 000 wafers DRAM. A Samsung pretende ainda triplicar a produção total de HBM até 2026 face a 2025, sendo mais de metade HBM4. Nos primeiros quatro meses após o lançamento, as vendas de chips HBM4 da Samsung já superaram 1 mil milhões $, prevendo-se que as vendas anuais ultrapassem os 10 mil milhões $.
A SK Hynix está igualmente a avançar de forma agressiva para a produção em massa de HBM4 e HBM4E. A 18 de junho de 2026, anunciou ter entregue amostras de HBM4E a grandes clientes. O seu empilhamento de 12 camadas HBM4E atinge uma taxa máxima de transferência por pin de 16 Gbps, com eficiência energética mais de 20% superior à geração anterior. O produto HBM4 de 16 camadas oferece 48 GB de capacidade e uma largura de banda agregada superior a 2 TB/s.
Importa referir que, no final de maio de 2026, a Samsung anunciou o início do envio de amostras de HBM4E a clientes. Estas utilizam um empilhamento de 12 camadas, DRAM de sexta geração na classe dos 10 nm (1c DRAM) e base lógica proprietária de 4 nm, proporcionando mais de 20% de melhoria de desempenho face à HBM4. Entre o envio de amostras de HBM4 em fevereiro e o início dos envios de HBM4E em maio, a Samsung reduziu o calendário para apenas três meses — evidenciando a sua determinação em recuperar terreno.
Ao nível da cadeia de fornecimento, a 8 de junho de 2026, a NVIDIA e a SK Hynix anunciaram uma parceria tecnológica plurianual para o desenvolvimento conjunto de memória de nova geração para IA e expansão da oferta. Entretanto, o CEO da NVIDIA, Jensen Huang, confirmou que os três gigantes da memória estão qualificados para fornecer chips HBM4 à NVIDIA. Isto significa que, se na era HBM3/E a SK Hynix estava profundamente integrada com a NVIDIA, na era HBM4 também a Samsung e a Micron garantiram presença na cadeia de fornecimento da NVIDIA, intensificando a competição a três.
Repensar a Valorização: De Paradigma Cíclico a Ação de Crescimento
A capitalização bolsista da SK Hynix superar a da Samsung Electronics não resulta apenas de uma alteração no desempenho operacional, mas reflete uma reavaliação fundamental da indústria de chips de memória.
Desde o início de 2026, as ações da SK Hynix subiram mais de 340%, enquanto as da Samsung Electronics valorizaram cerca de 200%. No último ano, o título da SK Hynix disparou 1 024%, superando largamente os 498% da Samsung. No entanto, a 23 de junho, o mercado acionista coreano registou forte volatilidade — o índice KOSPI afundou quase 10% e tanto a SK Hynix como a Samsung Electronics fecharam com quedas superiores a 12%. Esta volatilidade serve de lembrete de que, mesmo num ciclo de crescimento estrutural impulsionado pela IA, os riscos de curto prazo permanecem significativos.
Em termos de valorização, a SK Hynix e a Samsung Electronics negoceiam com rácios P/E forward de 7,82x e 7,80x, respetivamente, muito abaixo dos 17,73x da Micron. A 22 de junho, a Hanwha Investment & Securities elevou o preço-alvo da SK Hynix de 1,63 milhões KRW para 4,3 milhões KRW, com base num múltiplo P/E de 10x. Várias corretoras subiram acentuadamente os seus preços-alvo para a SK Hynix nos últimos dois meses: a SK Securities para 3 milhões KRW, a KB Securities para 3 milhões KRW (prevendo uma margem operacional de 78,1% em 2026), a Citi para 3,1 milhões KRW e a JPMorgan para 3 milhões KRW.
O relatório da Nomura afirma de forma categórica: "Desta vez, é mesmo diferente", argumentando que a lógica de valorização do setor da memória está a sofrer uma mudança de paradigma, aproximando-se do prémio de risco da TSMC e afastando-se das ações cíclicas tradicionais. A lógica central: a expansão dos contratos de longo prazo (LTA) e o aumento explosivo da procura por HBM melhoraram fundamentalmente tanto a previsibilidade dos resultados como o perfil de volatilidade dos chips de memória. A Hanwha Investment & Securities prevê que, mesmo num cenário de abrandamento do mercado de memória, a margem operacional da SK Hynix se mantenha acima dos 30% — quando em ciclos anteriores descia abaixo dos 10% ou mesmo para valores negativos.
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Para investidores que procuram oportunidades no setor semicondutor sul-coreano, a Gate oferece um ponto de acesso conveniente.
A plataforma de ações da Gate cobre atualmente os mercados dos EUA, Hong Kong e Coreia do Sul. Em 23 de junho de 2026, disponibiliza mais de 12 500 ativos relacionados com ações. Inclui mais de 10 000 ações e ETFs dos EUA, abrangendo NYSE, NASDAQ e outras bolsas norte-americanas de referência. A primeira fase das listagens de Hong Kong abrange mais de 1 500 ações, entre o mercado principal e o GEM. No segmento coreano, a Gate lançou negociação direta, permitindo aos utilizadores investir nos mercados de capitais da Coreia através de uma conta única.
A plataforma de negociação de ações da Gate apresenta três vantagens centrais. Primeiro, liquidação em USDT. Os utilizadores podem evitar o tradicional e moroso processo de "venda de cripto → levantamento para fiduciário → transferência internacional → capitalização de conta de corretora" e simplesmente transferir USDT da sua conta spot para a conta de ações, negociando de imediato. Segundo, negociação fracionada de ações com barreira de entrada muito baixa. Os investidores podem começar com apenas 0,01 ações — basta 1 $ para iniciar. Terceiro, gestão unificada de contas. Uma única conta permite gerir cripto, ações dos EUA e de Hong Kong, facilitando a alocação cruzada de mercados. Adicionalmente, os produtos de ações da Gate estão totalmente integrados com o sistema de níveis VIP da plataforma: ao manter 2 000 $ em ativos, o utilizador ascende a VIP, desbloqueando comissões exclusivas a partir de 0,023%.
Conclusão
A SK Hynix ultrapassar a Samsung Electronics em capitalização bolsista marca um momento decisivo na transição de poder dos semicondutores na era da IA. Este salto histórico reflete a transformação da HBM de segmento de nicho para mercado mainstream, a reconfiguração competitiva impulsionada por estratégias tecnológicas divergentes e a mudança dos mercados de capitais de uma lógica cíclica para uma valorização orientada para o crescimento no setor da memória.
Todavia, a competição está longe de terminar. O avanço acelerado da Samsung em HBM4/HBM4E, a expansão da quota de mercado da Micron em HBM e a transição da NVIDIA de uma cadeia de fornecimento exclusiva para diversificada são sinais claros de que a próxima fase da guerra da memória para IA será ainda mais intensa. Para os investidores, compreender a evolução técnica do mercado HBM, o panorama de alocação de capacidade e a nova lógica de valorização é essencial para tomar decisões racionais neste contexto de transformação estrutural.
O modelo de negociação de ações baseado em USDT da Gate oferece aos utilizadores cripto um canal eficiente e de baixa barreira para investir nos líderes globais dos semicondutores. Seja na SK Hynix ou na Samsung Electronics, estes gigantes da memória no centro da cadeia de valor da IA justificam uma atenção contínua e uma análise aprofundada por parte dos investidores.
