A Samsung Electronics aumenta o preço da DRAM pelo terceiro trimestre consecutivo, com meta de 20% para o Q3.

A Samsung Electronics está a realizar negociações de preços para DRAM de uso geral no 3.º trimestre de 2026. Segundo a imprensa sul-coreana 『ZDNET Korea』, citando informações do setor, o objetivo é aumentar o preço médio (ASP) da DRAM de uso geral até 20% face ao trimestre anterior; para a LPDDR, devido a um 'grave gargalo' nos segmentos de servidores e dispositivos móveis, o aumento pretendido é superior a 20%.

Objetivos da Samsung para negociações de preços no 3.ºT: ASP de uso geral sobe até 20%, LPDDR acima de 20%

De acordo com informações do setor citadas pela 『ZDNET Korea』, a Samsung adotou uma postura firme nas negociações de preços do 3.ºT. O preço médio (ASP) da DRAM de uso geral tem como objetivo um aumento trimestral de até 20%; a LPDDR (memória de baixa potência de dupla taxa de dados) enfrenta um 'grave gargalo' tanto em servidores como em dispositivos móveis, com uma meta de aumento superior a 20%. Comparação dos aumentos da Samsung nos dois trimestres anteriores: o ASP da DRAM no 1.ºT aumentou cerca de 90% em termos trimestrais, e no 2.ºT cerca de 50 a 60%.

Os especialistas do setor avaliam que a liderança da Samsung na quota de mercado global de DRAM de uso geral lhe confere maior poder de negociação. Além disso, o facto de a DRAM de uso geral representar uma proporção mais elevada da produção total da Samsung é a principal razão para que o seu aumento de preços seja mais acentuado do que o da SK Hynix.

Os especialistas também notam que os fabricantes de equipamentos originais (OEM) ainda podem usar a redução de encomendas ou a mudança para outros fornecedores como moeda de troca nas negociações. O aumento final acordado para o 3.ºT permanece por observar.

UBS eleva estimativas de preços de memória: previsões de DRAM e NAND para o 3.ºT e 4.ºT

De acordo com o relatório mais recente do UBS, as previsões de preços para DRAM e NAND são as seguintes:

Preço DRAM 3.ºT: aumento trimestral de 32% (significativamente acima do consenso médio do mercado)

Preço DRAM 4.ºT: aumento trimestral de 18%

Preço NAND 3.ºT: aumento trimestral de 30%

Preço NAND 4.ºT: aumento trimestral de 12%

Esta previsão do UBS está muito acima do consenso médio do mercado, refletindo o elevado otimismo de Wall Street em relação ao superciclo de memória impulsionado pela IA. As previsões acima são opiniões pessoais dos analistas do UBS e não constituem aconselhamento de investimento; os preços reais devem basear-se em anúncios oficiais dos fabricantes e dados do setor.

Razões para a estabilidade de preços da SK Hynix: contratos de longo prazo de HBM e a iminente listagem nos EUA

A tendência de preços da SK Hynix no 3.ºT é relativamente estável, principalmente porque uma proporção maior do seu negócio de memória de alta largura de banda (HBM) para IA é baseada em contratos de longo prazo (LTA), que fixam os preços e os tornam menos suscetíveis a flutuações de curto prazo do mercado. A SK Hynix está prestes a realizar uma oferta pública inicial (IPO) de 29 mil milhões de dólares na Nasdaq, e o mercado espera que a sua capacidade de expansão de capital aumente ainda mais a diferença para a Samsung no campo do HBM.

Em contraste, a Samsung tem uma proporção mais elevada de negócios de DRAM de uso geral, sendo mais afetada pelas flutuações dos preços à vista, pelo que a sua agressividade nas negociações de aumentos de preços no 3.ºT é também mais evidente.

Perguntas Frequentes

Qual é o progresso mais recente das negociações de aumento de preços da DRAM da Samsung no 3.ºT? O aumento final já está confirmado?

De acordo com informações do setor citadas pela 『ZDNET Korea』, a Samsung tem como objetivo um aumento de até 20% para a DRAM de uso geral no 3.ºT e superior a 20% para a LPDDR. No entanto, o setor também salienta que os fabricantes de equipamentos originais (OEM) podem usar a redução de encomendas ou a mudança para outros fornecedores como moeda de troca, pelo que o aumento final do 3.ºT ainda está por determinar. Os valores finais acordados devem basear-se nos relatórios financeiros oficiais de cada fabricante.

Quanto é que as previsões de preços da UBS para DRAM e NAND estão acima do consenso do mercado?

De acordo com o relatório, o UBS prevê um aumento trimestral de 32% para a DRAM no 3.ºT e de 18% no 4.ºT, e para a NAND de 30% no 3.ºT e de 12% no 4.ºT. O relatório indica que esta previsão está 'muito acima do consenso médio do mercado', mas não revela os números específicos do consenso. As previsões acima são opiniões pessoais dos analistas do UBS, a confirmar pelas atualizações oficiais dos relatórios de investigação de mercado.

Porque é que a oferta de DRAM tradicional dos três principais fabricantes de memória continua a contrair-se?

De acordo com o relatório, os três principais fabricantes de memória (Samsung, SK Hynix, Micron) já transferiram cerca de 93% da sua capacidade de produção para a produção de HBM. Produzir 1 bit de HBM consome cerca de três vezes mais capacidade de wafer do que DDR5, pelo que a oferta de DRAM tradicional é significativamente reduzida. As novas capacidades de wafer só entrarão em produção a partir de 2027, pelo menos, e a estrutura de oferta contraída dificilmente será aliviada rapidamente no curto prazo.