Samsung Electronics DRAM підвищує ціни третій квартал поспіль, ціль Q3 — 20%

Samsung Electronics веде переговори щодо цін на загальну DRAM у третьому кварталі 2026 року. Згідно з повідомленням південнокорейського видання "Korea ZDNET" з посиланням на галузеві джерела, компанія має на меті підвищити середню ціну (ASP) на загальну DRAM до 20% порівняно з попереднім кварталом; для LPDDR через "серйозне вузьке місце" в серверному та мобільному сегментах цільове підвищення перевищує 20%.

Ціль переговорів Samsung у третьому кварталі: ASP на загальну DRAM зросте до 20%, LPDDR – понад 20%

Згідно з галузевими джерелами, на які посилається "Korea ZDNET", Samsung демонструє жорстку позицію в переговорах щодо цін на третій квартал. Цільове підвищення середньої ціни (ASP) на загальну DRAM становить до 20% у порівнянні з попереднім кварталом; для LPDDR (низькопотужна пам'ять з подвійною швидкістю передачі даних) через синхронне "серйозне вузьке місце" в серверному та мобільному сегментах цільове підвищення перевищує 20%. Порівняння підвищень Samsung за попередні два квартали: ASP на DRAM у першому кварталі зріс приблизно на 90% у порівнянні з попереднім кварталом, у другому кварталі – приблизно на 50–60%.

Галузеві джерела зазначають, що Samsung, маючи найбільшу частку світового ринку загальної DRAM, отримує сильнішу переговорну позицію. Крім того, загальна DRAM займає відносно високу частку в загальному обсязі виробництва Samsung, що є основною причиною більш значного зростання порівняно з SK Hynix.

Галузеві джерела також звертають увагу на те, що кінцеві виробники можуть використовувати зменшення обсягів замовлень або перехід до інших постачальників як переговорний важіль. Остаточне підвищення цін у третьому кварталі ще потребує спостереження.

UBS підвищив прогноз цін на пам'ять: прогноз для DRAM та NAND у третьому та четвертому кварталах

Згідно з останнім звітом швейцарського банку UBS, прогнози цін на DRAM та NAND такі:

Ціна на DRAM у третьому кварталі: зростання на 32% у порівнянні з попереднім кварталом (значно вище середньоринкового консенсусу)

Ціна на DRAM у четвертому кварталі: зростання на 18% у порівнянні з попереднім кварталом

Ціна на NAND у третьому кварталі: зростання на 30% у порівнянні з попереднім кварталом

Ціна на NAND у четвертому кварталі: зростання на 12% у порівнянні з попереднім кварталом

Прогноз UBS значно перевищує середньоринковий консенсус, що відображає високий оптимізм Уолл-стріт щодо суперциклу пам'яті, викликаного ШІ. Вищезазначене є особистим прогнозом аналітиків UBS і не є інвестиційною рекомендацією; фактичні ціни базуються на офіційних оголошеннях виробників та галузевих даних.

Причина стабільної цінової політики SK Hynix: довгострокові контракти на HBM та майбутнє IPO в США

Ціноутворення SK Hynix у третьому кварталі є відносно стабільним, головним чином через вищу частку бізнесу з високопропускною пам'яттю (HBM) на основі довгострокових контрактів (LTA), які фіксують ціни та менш схильні до короткострокових ринкових коливань. SK Hynix готується до первинного публічного розміщення (IPO) на Nasdaq на суму 29 мільярдів доларів США, і ринок очікує, що її здатність до розширення капіталу ще більше збільшить розрив із Samsung у сфері HBM.

Для порівняння, частка загальної DRAM у бізнесі Samsung є вищою, що робить її більш чутливою до коливань спотових цін, тому в переговорах про підвищення цін на третій квартал вона є більш активною.

Поширені запитання

Який останній прогрес у переговорах Samsung щодо підвищення цін на DRAM у третьому кварталі? Чи визначено остаточне підвищення?

Згідно з повідомленням південнокорейського видання "Korea ZDNET" з посиланням на галузеві джерела, цільове підвищення цін Samsung на загальну DRAM у третьому кварталі становить до 20%, на LPDDR – понад 20%. Однак галузеві джерела також зазначають, що кінцеві виробники можуть використовувати зменшення обсягів замовлень або перехід до інших постачальників як переговорний важіль, тому остаточне підвищення цін у третьому кварталі ще не визначено. Конкретні цифри підвищення базуються на офіційних фінансових звітах виробників.

Наскільки прогноз UBS щодо цін на DRAM та NAND перевищує ринковий консенсус?

Згідно з повідомленням, UBS прогнозує зростання DRAM у третьому кварталі на 32% у порівнянні з попереднім кварталом, у четвертому кварталі – на 18%; NAND у третьому кварталі – на 30%, у четвертому кварталі – на 12%. У повідомленні зазначається, що цей прогноз "значно перевищує середньоринковий консенсус", але конкретні цифри ринкового консенсусу не розкриваються. Вищезазначене є особистим прогнозом аналітиків UBS; актуальними є оновлення офіційних ринкових досліджень.

Чому пропозиція традиційної DRAM від трьох основних виробників пам'яті продовжує скорочуватися?

Згідно з повідомленням, три основні виробники пам'яті (Samsung, SK Hynix, Micron) перевели приблизно 93% своїх виробничих потужностей на виробництво HBM. На виробництво 1 біта HBM потрібно приблизно втричі більше кремнієвих пластин, ніж на DDR5, що значно витісняє пропозицію традиційної DRAM. Нові потужності з виробництва кремнієвих пластин почнуть масово постачатися не раніше 2027 року, тому структура дефіциту пропозиції навряд чи швидко покращиться в короткостроковій перспективі.