Hai “cựu” bộ nhớ Trung Quốc chi 63 tỷ nhân dân tệ, TsingXinn (長鑫) đạt công suất sản xuất DDR5 hàng tháng là 350.000 tấm

Trung Quốc, CXMT (ChangXin Memory Technologies) và YMTC (Yangtze Memory Technologies) dự kiến cùng lúc chi 63 tỷ nhân dân tệ cho chi tiêu vốn để mở rộng dây chuyền; nếu kế hoạch hoàn tất đúng tiến độ, đến cuối năm 2026, năng lực sản xuất DRAM theo tháng của CXMT sẽ tiến sát 350 nghìn tấm, chỉ kém kỳ vọng cùng thời điểm của Micron (37,5 vạn tấm) chưa đến 10%.

Lộ trình DUV nhiều lần phơi của CXMT

Theo bài viết, trong bối cảnh CXMT không thể tiếp cận thiết bị EUV (cực tím), giải pháp họ áp dụng là: chuyển sang dùng thiết bị DUV thế hệ cũ (tử ngoại sâu), kết hợp công nghệ phơi nhiều lần — tức là cùng một tấm wafer được phơi lặp lại nhiều lần, đổi lấy độ tinh xảo mạch như khi dùng EUV bằng cách tăng số bước trong quy trình. Đánh đổi là áp lực về tỷ lệ đạt (yield) cao hơn và chi phí sản xuất trên mỗi tấm lớn hơn; nhưng đổi lại là có thể xuất xưởng DDR5 (8000 MT/s) và mô-đun LPDDR5X, nhắm thẳng vào thị trường đang thiếu hàng nhất cho nhu cầu máy chủ AI.

Ngoài ra, hiệu suất xây dựng phòng sạch của CXMT trong khoảng 12 tháng giúp họ tạo lợi thế về thời gian trong bối cảnh lịch giao thiết bị toàn cầu bị kéo dài — khi CXMT chạy máy để đạt yield, đối thủ có thể vẫn đang chờ lịch giao thiết bị.

Nội địa hóa thiết bị bán dẫn Trung Quốc và phân tán công nghệ

Theo bài viết, tác động của đợt mở rộng này lên bức tranh chuỗi cung ứng gồm: tỷ lệ mua sắm thiết bị bán dẫn nội địa của Trung Quốc hiện khoảng 23,2% (hơn 70% vẫn phải nhập khẩu); tuy nhiên, dự báo mua sắm của CXMT trong năm 2026 sẽ mang về cho nhà cung cấp nội địa gần 10 tỷ nhân dân tệ doanh vụ mới, tạo vòng lặp tích cực “bán thị trường để nuôi nhà cung cấp, nhà cung cấp lại nâng yield”, từ đó tỷ lệ phụ thuộc nhập khẩu có thể giảm dần theo từng năm.

Về phân tán công nghệ, chính phủ Trung Quốc đang thúc đẩy CXMT chuyển IP công nghệ DRAM (bằng sáng chế quy trình và bí quyết công nghệ chế tạo) sang Fujian Jinhua, Shengwei X u và công ty con của YMTC là XinXin. Mục tiêu là pha loãng hiệu ứng tấn công “một điểm bị đánh” từ các biện pháp trừng phạt của Mỹ, đồng thời chuẩn bị trước cho kế hoạch tiếp cận thị trường châu Âu và Mỹ trong tương lai.

Câu hỏi thường gặp

CXMT sản xuất DDR5 tiên tiến như thế nào trong điều kiện không có thiết bị EUV?

Theo bài viết, CXMT sử dụng thiết bị DUV (tử ngoại sâu) kết hợp công nghệ phơi nhiều lần: cùng một tấm wafer được phơi lặp lại nhiều lần để tăng số bước quy trình, từ đó đạt độ tinh xảo mạch cao hơn; đánh đổi là áp lực yield và chi phí trên mỗi tấm cao hơn, nhưng cho phép CXMT sản xuất DDR5 (8000 MT/s) và mô-đun LPDDR5X, trực tiếp cung cấp cho thị trường máy chủ AI.

Năng lực sản xuất DRAM theo tháng cuối năm 2026 của CXMT so với Micron ra sao?

Theo nhận định của các nhà phân tích, nếu kế hoạch mở rộng của CXMT hoàn tất đúng tiến độ, đến cuối năm 2026 năng lực sản xuất theo tháng sẽ tiến sát 350 nghìn tấm; Micron cùng thời điểm dự kiến khoảng 375 nghìn tấm/tháng, chênh lệch chưa đến 10% (khoảng 6,7%). Với mảng NAND của YMTC, dự báo năng lực theo tháng dựa trên đầy tải sau khi lấp đầy sẽ vượt 170 nghìn tấm. Các con số cụ thể phụ thuộc vào báo cáo tài chính chính thức mới nhất của từng công ty và báo cáo nghiên cứu ngành từ các tổ chức liên quan.

Mở rộng sản xuất bộ nhớ của Trung Quốc ảnh hưởng thế nào tới thị trường thiết bị bán dẫn toàn cầu?

Theo dự đoán của SEMI (Hiệp hội Công nghiệp Bán dẫn Quốc tế), thị trường thiết bị bán dẫn toàn cầu sẽ tăng từ 116,6 tỷ USD năm 2024 lên 155,6 tỷ USD vào năm 2027, kéo theo quy mô thị trường tổng thể mở rộng; kế hoạch mở rộng của các nhà sản xuất Trung Quốc cũng đóng vai trò quan trọng trong đà tăng trưởng này, nhưng ba hãng bộ nhớ lớn toàn cầu (Samsung, SK hynix, Micron) đồng loạt tăng mạnh chi tiêu vốn, khiến mức độ cạnh tranh tiếp tục gia tăng.