Tỷ lệ thành công của Samsung HBM4E vượt 70%, quy trình DRAM D1d hướng tới phê duyệt sản xuất vào tháng 11.

2026-07-01 06:01:31

Theo CTO bộ phận DS của Samsung Electronics Song Jae-hyuk, tỷ lệ đạt yêu cầu trong thử nghiệm độ tin cậy HBM4E đã vượt quá 70% tính đến ngày 30 tháng 6, với việc phát triển đang bước vào giai đoạn ổn định. Công ty, đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2, đang tiến triển công nghệ quy trình D1d DRAM thế hệ tiếp theo với mục tiêu đạt được phê duyệt sẵn sàng sản xuất vào tháng 11. D1d sẽ được áp dụng cho HBM5 và các sản phẩm tiếp theo của Samsung.

Xem nguồn

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.

Tin tức liên quan

8giờ trước

Samsung Electronics công bố quy trình 2nm và quan hệ đối tác bán dẫn AI tại SAFE Forum 2026

12giờ trước

Goldman Sachs nâng dự báo tăng trưởng giá HBM của Samsung năm 2027 lên 44%, từ mức 14%

17giờ trước

Samsung, SK Hynix công bố mở rộng $516B Chip, ASML tăng vọt 6,8% lên mức cao kỷ lục

06-30 10:49

Samsung nộp bằng sáng chế HBM mới cho bộ nhớ 12+ lớp vào ngày 30 tháng 6, cải thiện độ tin cậy

06-30 09:57

SK Hynix có kế hoạch đặt mua 200 bộ kiểm tra bán dẫn trị giá 259 triệu USD

Phân tích chuyên sâu