据《福布斯》报道,先进芯片制造可能面临潜在中断,因为多种新兴光刻技术正接近 2030 年的商业化。原子光刻使用原子束直接在硅晶圆上刻蚀,潜在地使芯片线路宽度比当前 EUV 技术能力缩小 1-2 个数量级。X 射线光刻的波长低于 1 纳米,理论上能够实现更精确的晶体管结构。近日,华为宣布研发一种新的半导体架构,用于制造先进 AI 芯片且不依赖 EUV 技术,体现了产业界推动向替代当前主流光刻方式转变的趋势。
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