汇丰银行发布一份报告称，尽管由于担忧半导体周期见顶，投资者对内存半导体股票的情绪有所走弱，但现在担心为时尚早。根据 Investing.com 于14日（当地时间）发布的消息，汇丰银行在近期报告中指出，投资者将盈利增长放缓和股价动能走弱视为主要担忧，但该行判断内存半导体公司正在出现新的增长驱动因素。该分析发布之际，市场参与者正就内存半导体周期是否已达峰值展开讨论，其中包括Meta进入云服务器市场，以及厂商激进扩张产能引发的供需担忧。
汇丰银行为内存板块点出多重增长催化剂
汇丰银行预计，受DRAM价格上涨推动，高带宽存储器（HBM）价格将上行。随着下一代HBM4的采用加速，平均售价（ASP）可能还将进一步上升。该行还提到，受SO-CAMM2（下一代笔记本内存标准）增长带动的NAND需求增长，以及AI代理对高性能内存需求的扩大，均为正面因素。
长线供货长期合同有望改善估值
汇丰银行分析称，3-5年期长线供货合同的扩大会提升未来2-3年的盈利可见度，并降低利润波动性，从而可能带来估值改善。
汇丰银行将当前周期对标1990年代PC超级周期
汇丰银行将当前内存市场状况与1990-1995年个人电脑（PC）超级周期进行对比，预计随着AI的普及，将提升工作生产力并改变工作环境。该行判断，在竞争加剧的背景下，云服务提供商（CSPs）削减资本开支的可能性有限。
汇丰银行还预计，随着HBM4转型进程推进，HBM价格上涨幅度将大于通用型DRAM的涨幅。
SK海力士（SK Hynix）凭借HBM4市场领先地位被点名为首选
汇丰银行在内存半导体股票中将SK海力士列为其首选。该行基于SK海力士在HBM和SO-CAMM2产品中占比很高的情况，并预计公司将在2027年维持HBM4市场50-55%的份额。
三星电子因多项因素维持买入评级
汇丰银行对三星电子维持买入评级，积极评估HBM4竞争力有望修复、晶圆代工业务改善，以及今年下半年通用型DRAM价格可能进一步上涨的潜力。
市场担忧包括周期见顶与供给扩张
近期市场对内存半导体周期已达峰值的担忧开始出现。所提及的因素包括：Meta进入云服务器市场可能会放缓未来资本开支增速，以及内存半导体厂商激进扩张产能带来的潜在供需恶化。
此外，已被点名的风险因素还包括：随着内存成本上升，客户可能降低产品规格、采用新技术的时间延后，以及中国厂商的激进扩张。
SK海力士ADR在初跌后反弹27%
SK海力士的American Depositary Receipt（ADR）在13日（其挂牌后的第二个交易日）暴跌近10%，但在隔夜交易中收于193.92美元，比前一交易日上涨27.29%。
FAQ
汇丰银行为内存半导体股票点出了哪些新的增长驱动因素？
汇丰银行指出了若干增长驱动因素，包括由DRAM价格上涨带动的HBM价格上升、HBM4采用加速、受SO-CAMM2推动的下一代笔记本内存增长，以及AI代理对高性能内存需求的扩张。该行还提到，3-5年期长线供货长期合同将提升盈利可见度并降低利润波动性。
汇丰银行为何将SK海力士列为内存板块首选？
汇丰银行之所以选择SK海力士作为首选，是基于该公司在HBM和SO-CAMM2产品中占比很高，并预计SK海力士将在2027年维持HBM4市场50-55%的份额。该行也维持对三星电子的买入评级，理由是指出HBM4竞争力修复潜力以及晶圆代工业务改善。
SK海力士ADR在近期交易中的表现如何？
SK海力士的American Depositary Receipt（ADR）在13日上市后的第二个交易日下跌了近10%，但在隔夜交易中迅速反弹，收于193.92美元，较前一交易日上涨27.29%。
