Bank of America: La retirada de acciones de memoria no es una reversión de ciclo; los precios de DRAM/NAND alcanzan máximos históricos

Según el último informe Global Memory Tech de Bank of America, publicado esta semana, el reciente retroceso en las acciones de memoria no señala un cambio de ciclo. El banco responde a las preocupaciones del mercado sobre la capacidad de ventas de Meta, la entrada de Changxin (DRAM) en la cadena de suministro de Apple y los planes de expansión de semiconductores de Corea del Sur, argumentando que estos riesgos están sobredimensionados. Los datos clave muestran que los precios de los contratos de DRAM y NAND siguen en niveles elevados: el DDR5 de 16 Gb ronda los $47 y los módulos de servidor DDR5 de 64 GB están en $1,400, ambos en máximos históricos. Samsung Electronics informó un beneficio operativo en el 2T de 89,4 billones de won, un 1.810% interanual, impulsado por las ganancias del negocio de memoria.

Las exportaciones de semiconductores de Corea del Sur se dispararon un 21% mes a mes y un 199% interanual el mes pasado, hasta $44,8 mil millones, marcando el sexto mes consecutivo de crecimiento de tres dígitos. Bank of America estima que los cuatro grandes hyperscalers—Amazon, Microsoft, Alphabet y Meta—invertirán aproximadamente $700 mil millones en gastos de capital en 2026, un 80% más interanual, con un crecimiento de ingresos en la nube esperado del 35-40%. La oferta sigue ajustada, ya que la expansión de capacidad avanzada tardará años en hacerse material, aunque el banco señala que la industria de la memoria ha pasado de la “compra ciega” a la selección estratégica de acciones.