Le cabinet d’études de marché IDC a tenu un webinaire le 8, intitulé « Memory Market Outlook : When Will Supply Shortages End », diagnostiquant que le point d’inflexion du marché de la mémoire a été repoussé à après la deuxième moitié de 2028, la pénurie d’offre s’étant resserrée. La prévision d’IDC indique que les taux de pénurie d’approvisionnement en DRAM s’élargiront pour atteindre environ 13 % d’ici le T4 2027, tandis que les pénuries de NAND de 3 à 4 % devraient se poursuivre tout au long de 2027. Les contraintes d’offre proviennent de changements structurels de production : plus de 30 % des hausses de capacité DRAM sont allouées à des produits IA tels que HBM et SOCAMM, avec des volumes déjà significatifs verrouillés dans des accords d’approvisionnement long terme pluriannuels.
Prévisions d’IDC : la pénurie d’offre en mémoire s’aggrave jusqu’en 2027
La prévision d’IDC présentée dans son webinaire a montré que les taux de satisfaction offre/demande en DRAM ont en réalité diminué par rapport à la prévision du cabinet datant de mars dernier. Les taux de pénurie en DRAM sont projetés pour atteindre environ 13 % d’ici le T4 2027, tandis que les pénuries de NAND flash de 3 à 4 % devraient continuer tout au long de 2027.
Les taux de croissance de la production de DRAM devraient passer sous ceux de la demande cette année et l’an prochain, tandis que la production de NAND devrait globalement suivre la demande. IDC qualifie cette année et l’an prochain de période historique de croissance à deux chiffres, où les pénuries d’offre et les hausses rapides des prix se chevauchent.
D’après IDC, même lorsque la capacité de production de DRAM augmente d’environ 10 %, plus de 30 % de cette hausse est alloué à des produits IA comme la mémoire à bande passante élevée (HBM) et SOCAMM. Des volumes significatifs sont déjà sécurisés grâce à des accords d’approvisionnement long terme (LTA) pluriannuels. Même avec l’expansion des usines et des équipements, le volume excédentaire disponible pour le marché DRAM à usage général est inévitablement limité.
Pour la NAND, à part la nouvelle usine de Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC) en Chine, il existe presque aucune expansion significative de capacité à grande échelle. Même si la croissance des investissements des grandes entreprises ralentit quelque peu, la structure elle-même manque d’offre suffisante pour revenir au marché à usage général.
La production de HBM consomme plus de 30 % de la nouvelle capacité DRAM
Le centre de la demande se déplace aussi : des produits mobiles et PC vers les produits serveurs et entreprises. IDC prévoit qu’en 2030, les serveurs et la HBM représenteront plus de 60 % de la demande en DRAM, et que la part des SSD d’entreprise dans la NAND augmentera également rapidement.
À mesure que la mémoire se transforme, passant d’un composant destiné à l’électronique grand public à une infrastructure de base qui alimente les centres de données IA, un cycle différent apparaît par rapport au passé, où les pénuries d’offre étaient rapidement résolues grâce à de nouvelles opérations d’usine.
Jeffreys s’attend à ce que les prix de la mémoire augmentent nettement au cours de la deuxième moitié de cette année, et prévoit aucune tendance claire à la baisse avant 2028. Gartner estime que l’offre de DRAM à usage général se resserrera davantage, car la HBM absorbe une part significative des hausses de capacité de production. Counterpoint Research suggère aussi une normalisation de la chaîne d’approvisionnement au plus tôt au début de 2028.
Micron signe 16 contrats stratégiques couvrant 100 milliards de dollars
Micron a signé son premier accord stratégique client de cinq ans (SCA) en mars dernier, puis a porté les contrats à 16 dans les trois mois. Parmi ceux-ci, 14 contrats ont un chiffre d’affaires cumulé d’environ 100 milliards de dollars aux prix minimums contractuels pour la période restante des contrats.
Les contrats signés couvrent environ 20 % du volume DRAM de Micron et un tiers du volume NAND pendant la période couverte. Micron s’attend à ce que, lorsque toutes les signatures de contrats prévues seront terminées, plus de la moitié du chiffre d’affaires total soit soumise à l’application du SCA.
Ces contrats sont au format « take or pay », où les clients sont tenus d’acheter certains volumes. Cela montre que le marché de la mémoire, qui était centré sur des négociations de prix trimestrielles, se transforme en une structure qui sécurise à l’avance plusieurs années de volume.
Cela concorde avec le fait qu’IDC désigne les LTA comme une condition essentielle pour sécuriser un volume stable. Dans une situation où l’offre est limitée, les clients qui ne signent pas de contrats long terme peuvent avoir du mal à obtenir les volumes nécessaires, même si les prix augmentent.
Les fabricants de mémoire changent de stratégie : passer de la fixation des prix au contrôle des volumes
Un point notable est le « découplage » entre les prix et l’offre/demande. IDC voit les hausses de prix de la mémoire approcher de limites, les prix commençant à évoluer indépendamment des taux de satisfaction offre/demande. Étant donné que les prix des contrats de DRAM serveur ont augmenté de manière significative chaque trimestre cette année, un ralentissement des taux de croissance est une progression naturelle.
Même si certains prix de produits passent sous ceux du mois ou du trimestre précédent, si les prix absolus restent à des sommets historiques et si les pénuries d’offre continuent, il est difficile d’y voir un signal de renversement de tendance dans l’industrie.
Les stratégies des fabricants devraient aussi évoluer : moins d’accent sur des hausses de prix, plus sur le contrôle des volumes. Augmenter les prix indéfiniment pourrait accroître la résistance de la demande de la part des fabricants d’appareils grand public pour les PC et les smartphones. À la place, les fabricants peuvent maintenir une forte rentabilité en ajustant les volumes d’offre par produit et par client, et en donnant la priorité à l’allocation de volumes aux clients stratégiques disposant de contrats long terme.
Des variables demeurent. Les annonces de résultats des grandes entreprises et les plans d’investissement IA de Google, Amazon et Meta constituent des tournants pour confirmer la durabilité de la demande. On ne peut pas exclure que des hausses de mémoire à des prix élevés fassent peser des coûts sur les produits grand public et freinent la demande.
Cependant, un ralentissement de la croissance des prix et la résolution des pénuries d’offre ne doivent pas être considérés comme une seule et même chose. Les contraintes techniques de la HBM, les volumes élevés de wafers en entrée et l’extension des contrats long terme continuent de limiter l’offre de mémoire à usage général.
Le vice-président d’IDC, Kim Su-gyeom, a déclaré : « Les cycles de mémoire existent encore, mais ils durent plus longtemps qu’auparavant et ont des caractéristiques stratégiques plus fortes. Le point d’inflexion du marché de la mémoire a été retardé d’environ un an et devrait apparaître en 2028, suivi d’un ajustement progressif. »
FAQ
Q1 : Quand IDC prévoit-elle que le point d’inflexion du marché de la mémoire se produira ?
A1 : IDC prévoit que le point d’inflexion du marché de la mémoire se situe après la deuxième moitié de 2028, soit environ un an plus tard que les projections précédentes, en raison de conditions d’offre tendues.
Q2 : Quel pourcentage de la nouvelle capacité de production DRAM est alloué à des produits IA ?
A2 : D’après IDC, plus de 30 % des augmentations de capacité DRAM sont allouées à des produits IA comme la HBM et SOCAMM, avec des volumes significatifs déjà sécurisés via des accords d’approvisionnement long terme pluriannuels.
Q3 : Combien d’accords stratégiques clients Micron a-t-elle signés et quelle est leur valeur totale ?
A3 : Micron a porté ses accords stratégiques clients à 16 dans les trois mois suivant la signature de son premier contrat en mars dernier. Parmi ces accords, 14 contrats ont un chiffre d’affaires cumulé d’environ 100 milliards de dollars aux prix minimums contractuels, couvrant environ 20 % du volume DRAM de Micron et un tiers du volume NAND.
