KB Securities : les actions de Samsung Electronics reculent, une opportunité d’achat se présente

KB Securities a indiqué que les actions de Samsung Electronics représentent une opportunité d’achat après une baisse de 30 % par rapport à leurs récents plus hauts. L’analyste Kim Dong-won a publié, le 15, une note maintenant l’évaluation de la société selon laquelle la croissance des investissements dans l’infrastructure IA reste valide. La baisse refléterait les inquiétudes du sentiment des investisseurs concernant un ralentissement des investissements dans l’IA, plutôt qu’une dégradation fondamentale de la structure de l’industrie des semi-conducteurs de mémoire, selon l’analyste. Kim a noté que les fondamentaux clés du secteur, notamment la croissance à long terme de l’infrastructure IA et les pénuries d’offre de mémoire, n’ont pas changé par rapport au mois précédent. Le courtier a fixé, dans une note précédente publiée le 13, un prix cible de 600 000 won et une recommandation « buy », mais le rapport actuel ne reprend pas ces chiffres.

Les analystes estiment 2027 comme la période de pénurie d’offre de mémoire la plus tendue de l’histoire de l’industrie sur 70 ans

Kim Dong-won a projeté que l’année prochaine marquera la période d’offre la plus tendue dans l’histoire de 70 ans de l’industrie des semi-conducteurs de mémoire. L’analyste a déclaré que les conditions de pénurie devraient se poursuivre jusqu’au moins 2028, la capacité de production de DRAM à usage général faisant face à des contraintes structurelles en raison d’investissements agressifs axés sur la high bandwidth memory (HBM).

La part de la HBM dans la production mondiale de wafers de DRAM devrait passer de 15 % cette année à 34 % l’année prochaine, selon les projections de Kim. L’analyste a expliqué que cela indique que la majorité de la nouvelle capacité de production se concentrera sur la HBM, tandis que l’expansion de l’offre de mémoire à usage général sera, dans les faits, limitée. Kim a indiqué que la pénurie d’offre de mémoire qui en résultera pour les clients grand public devrait s’intensifier jusqu’à un niveau s’approchant d’un cliff d’offre plutôt que de simples conditions tendues offre-demande.

La FERC américaine simplifie les procédures de connexion au réseau électrique des datacenters d’IA

La Commission fédérale de réglementation de l’énergie des États-Unis (FERC) a simplifié les procédures de connexion au réseau électrique pour la construction de datacenters d’IA afin de mettre en place un processus en voie accélérée, d’après le rapport de l’analyste. Le changement réglementaire réduit les délais de connexion au réseau, passant de plus de 5 ans à un délai projeté de 1 à 2 ans.

Kim a déclaré que les grandes entreprises technologiques américaines peuvent désormais accélérer leurs calendriers d’approvisionnement électrique en poursuivant des investissements parallèles dans des installations de production d’électricité propriétaires. L’analyste a projeté que la vitesse de construction des datacenters d’IA pourrait augmenter de plus du double par rapport aux taux précédents, en conséquence de ces évolutions réglementaires et d’infrastructure.

FAQ

Que disait KB Securities au sujet des actions de Samsung Electronics le 15 ?
L’analyste de KB Securities, Kim Dong-won, a publié, le 15, une note indiquant que les actions de Samsung Electronics représentent une opportunité d’achat après une baisse de 30 % par rapport aux récents plus hauts, la baisse étant attribuée à des inquiétudes liées au sentiment des investisseurs plutôt qu’à une dégradation fondamentale de l’industrie.

Quelles projections d’offre de mémoire l’analyste a-t-il fournies pour 2027 ?
Kim Dong-won a projeté 2027 comme la période de pénurie d’offre la plus tendue de l’histoire des 70 ans de l’industrie des semi-conducteurs de mémoire, avec une part de la HBM dans la production mondiale de wafers de DRAM attendue en hausse de 15 % cette année à 34 % l’année prochaine, et des contraintes d’offre susceptibles de se poursuivre jusqu’à au moins 2028.

Comment les changements réglementaires américains ont-ils affecté les calendriers de construction des datacenters d’IA ?
La FERC américaine a simplifié les procédures de connexion au réseau électrique pour la construction de datacenters d’IA, réduisant le délai de plus de 5 ans à un délai projeté de 1 à 2 ans ; d’après l’analyste, cela pourrait permettre d’augmenter la vitesse de construction des datacenters d’IA de plus du double par rapport aux taux précédents.