Китайские производители памяти «две звезды» инвестировали 63 млрд юаней: ChangXin увеличил ежемесячную мощность DDR5 до 350000 чипов

長鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）拟合计投入630亿人民币资本支出，用于采购产线扩产；若计划如期完成，2026年底长鑫存储DRAM月产能将逼近35万片，与美光（Micron）同期预估的37.5万片仅差不到一成。

长鑫存储的DUV多重曝光路线

据报道，长鑫存储在无法取得EUV（极紫外线）曝光机的情况下，采用的方案是：改用旧型DUV（深紫外线）设备，叠加多重曝光技术——即同一片晶圆重复曝光多次，用增加制程步骤换取原本需要EUV才能达到的电路细节。代价是更高的良率压力和单片生产成本；但换来的是能出货的DDR5（8000 MT/s）和LPDDR5X存储器模块，直接切入AI服务器需求最缺货的市场。

此外，长鑫存储约12个月建成无尘室的效率，使其在全球设备交期延长的环境中形成时间差优势——长鑫存储在跑机台良率时，竞争对手可能仍在等待设备交付。

中国半导体设备本土化与技术分散

据报道，此次扩产对供应链格局的影响包括：目前中国半导体设备本土采购率约23.2%（超过70%仍依赖进口）；但长鑫存储2026年的采购预估将为本土供应商带来近10亿人民币的新业务，形成“市场养供应商、供应商反过来提升良率”的良性循环，进口依赖比例有望逐年降低。

在技术分散方面，中国政府正推动长鑫存储将DRAM技术IP（制程专利与工艺诀窍）转移给福建晋华、昇维旭与长江存储子公司新芯，目的是稀释美国制裁的单点打击效果，并为未来打入欧盟和美国市场做准备。

常见问题

长鑫存储如何在没有EUV设备的情况下生产先进DDR5？

据报道，长鑫存储采用DUV（深紫外线）设备加上多重曝光技术，即对同一片晶圆重复曝光多次，以增加制程步骤换取更细的电路；代价是更高的良率压力和单片成本，但使长鑫存储得以生产DDR5（8000 MT/s）和LPDDR5X存储器模块，直接供应AI服务器市场。

长鑫存储2026年底的DRAM月产能与美光相比如何？

据分析师指出，若长鑫存储扩产计划如期完成，2026年底月产能将逼近35万片；美光同期预估月产能约37.5万片，差距不到一成（约6.7%）。长江存储NAND方面，满载后月产能预估突破17万片。具体数字以各公司官方财报和产业研究机构最新报告为准。

中国存储器扩产对全球半导体设备市场有何影响？

根据SEMI（国际半导体产业协会）的预测，全球半导体设备市场将从2024年的1166亿美元增长至2027年的1556亿美元，整体市场规模在扩大；中国厂商的扩产计划也在这一增长中扮演重要角色，但全球三大存储厂（三星、SK海力士、美光）同步加码资本支出，竞争态势持续激烈。