Tower Semiconductor інвестує 3 мільярди доларів у Японію для розгортання виробництв чипів для ШІ за підтримки 1 мільярда доларів державних програм

Як повідомляє Calcalist, 14 липня Tower Semiconductor оголосила про інвестиції в Японії на суму 3 мільярди доларів, підкріплені приблизно 1 мільярдом доларів державних грантів, для нарощування потужностей 300-мм силіконової фотоніки, силікон-германію та вдосконаленого оптичного пакування для застосувань ШІ і ЦОД. Ізраїльський виробник чипів переобладнає свій об’єкт Arai (колишній Fab 6) на виробничий майданчик для 300-мм силіконової фотоніки та передового пакування, одночасно збільшуючи випуск на Fab 7 у Уодзу. Tower очікує повну готовність виробництва до четвертого кварталу 2027 року.
Застереження: інформація на цій сторінці може походити зі сторонніх джерел і надається виключно для ознайомлення. Вона не відображає позицію чи думку Gate і не є фінансовою, інвестиційною чи юридичною консультацією. Торгівля віртуальними активами пов’язана з високим ризиком. Будь ласка, не покладайтеся лише на інформацію з цієї сторінки під час прийняття рішень. Детальніше дивіться у Застереженні.
Прокоментувати
0/400
Немає коментарів