TSMC có kế hoạch chuyển sang công nghệ Glass Interposer với CoPoS vào khoảng năm 2029

Theo nhà phân tích chất bán dẫn Andrew Lu, Công ty Sản xuất Chất bán dẫn Đài Loan (TSMC) đang lên kế hoạch chuyển đổi từ bộ chuyển tiếp silicon sang bộ chuyển tiếp thủy tinh sử dụng công nghệ CoPoS (Chip-trên-Panel-trên-Substrate) vào khoảng năm 2029. Sự chuyển đổi này nhằm giải quyết các hạn chế về công suất khi thiết kế chip AI ngày càng lớn hơn, đòi hỏi số lượng ngăn xếp bộ nhớ cao hơn.

Lu dự báo công suất CoWoS của TSMC sẽ đạt khoảng 200 nghìn đơn vị mỗi tháng vào cuối năm 2026, tăng lên 280 nghìn đơn vị vào năm 2027 và 360 nghìn đơn vị vào năm 2028. Công nghệ CoPoS dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất thử nghiệm hạn chế vào năm 2028, với quá trình tăng tốc sản xuất hàng loạt bắt đầu từ năm 2029, nhắm mục tiêu khoảng 12 nghìn đơn vị mỗi tháng vào cuối năm 2029.