三星电子、SK 海力士和美光预计明年 HBM4 内存价格将翻倍，台湾《DigiTimes》援引多位行业消息人士称。该预测显示，HBM4 定价将从今年下半年约 2 美元/千兆位（Gb）上调至明年 4-5 美元/Gb 或更高；同时，当前 HBM3E 价格为 1.5-1.6 美元/Gb，也预计将上涨。这三家全球内存制造商预计将在今年第四季度左右敲定明年的 HBM 供货定价。价格上涨归因于英伟达下一代 AI 平台 Verarubin 将于今年下半年发布前的需求激增，同时还叠加了生产瓶颈以及长期供货协议（LTA）范围的扩大。HBM 制造大约消耗标准 DDR5 DRAM 硅片产能的三倍；HBM4 的总生产周期为 4-6 个月，而 DDR5 为 3-3.5 个月，从而在 AI 基础设施建设中加剧了供应紧张。
HBM4 生产瓶颈驱动供应紧张
据《DigiTimes》援引的行业专家称，HBM 制造所需的硅片产能约为标准 DDR5 DRAM 的三倍。HBM4 的总生产周期为 4-6 个月，最长可达 DDR5 所需 3-3.5 个月的两倍；同时，较低的初始良率也进一步施压价格。行业分析师认为，这些显著的价格上涨与英伟达 Verarubin 平台定于今年下半年发布而带来的需求扩张相吻合。
长期合同锁定内存产能
据该报告援引的行业预测，主要 AI 客户正在与内存制造商签订 3-5 年期长期协议（LTA）以及战略客户协议（SCA），锁定了约 20-30% 的通用 DRAM 产能。由于 HBM 占据总 DRAM 产能约 30%，分析认为，从明年开始，约一半的总产能可能会被预先分配给主要客户。消息人士称，供应商正在长期合同中争取加入“结算后”（post-settlement）条款：如果市场价格高于最初固定的合同价格，则允许追加付款。
DDR5 盈利能力影响 HBM 定价策略
《DigiTimes》报告称，今年部分供应商的 DDR5 利润率超过 80%，并且每个季度仍在上升。越来越多的客户将 DDR5 作为昂贵且稀缺的 HBM 的替代选择，从而推动对这一标准内存类型的需求。与 HBM4 相比，DDR5 的生产周期更短、工艺转换更容易，因此带来更高的短期盈利能力。三星电子和 SK 海力士正在根据需求将部分产能重新分配回 DDR5。DigiTimes 的分析表明，如果 DDR5 的利润维持在较高水平，供应商很可能会要求进一步提高 HBM 价格，以证明将通用 DRAM 的产线转换为 HBM 制造是合理的。
AI 基础设施需求展望仍然强劲
近期关于 Meta 试图通过外部租赁 AI 计算资源的消息引发了需求可能走弱的担忧，但消息人士表示，行业共识认为这种解读被夸大了。AI 基础设施仍处于供给短缺状态，2027 年前没有明确的放缓迹象。主要云服务提供商正在为明年准备激进的资本开支，并预计 HBM、DDR、服务器内存模组（RDIMM）以及企业级固态硬盘（eSSD）的需求将持续增长。DigiTimes 指出，没有长期合同的客户面临最大的供应风险；预计消费电子制造商以及中小型客户在获取大批量供货方面将遇到越来越大的困难。
常见问题（FAQ）
明年 HBM4 的预计涨价幅度是多少？
根据《DigiTimes》援引的多位台湾行业消息人士称，HBM4 价格预计将从今年下半年约 2 美元/千兆位（Gb）上调至明年 4-5 美元/Gb 或更高。目前 HBM3E 价格为 1.5-1.6 美元/Gb，也预计将上涨。三星电子、SK 海力士和美光预计将在今年第四季度左右敲定明年的 HBM 供货定价。
为什么预计 HBM4 价格会翻倍？
价格上涨归因于今年下半年英伟达 Verarubin 平台发布前的需求激增，同时叠加生产瓶颈以及长期供货协议的扩大。HBM 制造大约消耗标准 DDR5 DRAM 硅片产能的三倍；HBM4 的生产周期为 4-6 个月，而 DDR5 为 3-3.5 个月。长期协议正在锁定约 20-30% 的通用 DRAM 产能，而 HBM 占据总 DRAM 产能约 30%。
长期合同如何影响内存供应？
主要 AI 客户正在与三星电子、SK 海力士和美光签订 3-5 年期长期协议（LTA）以及战略客户协议（SCA），并预先分配约 20-30% 的通用 DRAM 产能。行业分析认为，从明年开始，约一半的总产能可能会被预先分配给主要客户。消息人士表示，根据《DigiTimes》援引的消息来源，供应商正在通过“结算后”（post-settlement）条款来安排：如果市场价格高于最初固定的合同价格，则允许追加付款。
