2026 年 4 月底，台股記憶體與 HBM 概念股集體爆發，南亞科（2408）打入輝達 Vera Rubin 供應鏈、股價亮燈漲停，帶動 Google Trends 台灣熱搜出現「2408」「高頻寬記憶體」「中美晶」「合晶」「華邦電」連環竄升。บทความนี้สรุปแกนหลักของแรงขับเคลื่อนที่ทำให้ HBM／DRAM ปรับขึ้นในรอบนี้ และเส้นทางที่แต่ละบริษัทในไต้หวันได้รับประโยชน์อย่างเป็นรูปธรรม เพื่อให้ผู้อ่านเข้าใจตำแหน่งในห่วงโซ่อุปทานได้ในครั้งเดียว
แกนหลัก: เซิร์ฟเวอร์ AI กลืนกินกำลังการผลิต DRAM ทั่วโลก 66%
แรงขับเคลื่อนรอบนี้มาจากความต้องการที่พุ่งขึ้นอย่างมากจาก AI accelerator ต่อ HBM（หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง）HBM ใช้การบรรจุ DRAM แบบซ้อนชั้น（stacked） ความจุของแต่ละชิปและแบนด์วิดท์สูงกว่าหน่วยความจำ DDR5 แบบเดิมอย่างมาก ซึ่งเป็นอุปกรณ์มาตรฐานของ accelerator อย่าง NVIDIA H100／H200／Blackwell／Vera Rubin เมื่อเซิร์ฟเวอร์ AI กลืนกิน DRAM ทั่วโลกราว 66% ของกำลังการผลิตแล้ว DDR5, LPDDR และ DRAM กลุ่มเฉพาะ（niche）ก็เข้าสู่ภาวะขาดแคลนแบบเชิงโครงสร้างอย่างเต็มรูปแบบ—นี่คือเหตุผลพื้นฐานที่ทำให้ราคาหน่วยความจำสำหรับผู้บริโภคปรับขึ้นสวนทางภาวะตลาด
南亞科（2408）：DRAM แบบมาตรฐาน + เพิ่งเข้าซัพพลายเชน Vera Rubin
南亞科เน้น DRAM แบบมาตรฐาน และปลายเดือนเมษายน 2026 มีข่าวว่าเข้าซัพพลายเชนแพลตฟอร์ม Vera Rubin รุ่นถัดไปของ NVIDIA ซึ่งทำให้เป็นรายแรกของบริษัทในไต้หวัน 投顧ประเมินว่า EPS ปี 2026 จะพลิกขึ้น 9 เท่าไปอยู่ในช่วง 21 หยวน และปี 2027 อยู่ที่ 17 หยวน สะท้อนความยืดหยุ่นของกำไรจากการที่ห่วงโซ่ AI ดึงออเดอร์ ด่านสังเกตอยู่ที่ความคืบหน้าการผลิตแบบ mass production ของกระบวนการ 10 นาโนเมตร（1B）จะสามารถเจาะตลาดกระแสหลัก DDR5 ได้หรือไม่ ซึ่งจะเป็นตัวกำหนดความสามารถในการตั้งราคาในอนาคต
華邦電（2344）：DRAM กลุ่มเฉพาะ（Specialty DRAM）+ 边緣 AI LPDDR
โครงสร้างผลิตภัณฑ์ของ 華邦電เอนเอียงไปที่หน่วยความจำกลุ่มเฉพาะ（Specialty DRAM）และ NOR Flash โดยมุ่งหลักไปที่รถยนต์ เครื่องอุตสาหกรรม และ IoT ผลประโยชน์ในรอบนี้มาจากข้อกำหนดของ AI PC และ AI มือถือที่ต้องการประสิทธิภาพสูงและใช้พลังงานต่ำของ LPDDR ทำให้การเจาะของ 華邦電ในอุปกรณ์ AI ที่ส่วนปลาย（edge AI）เพิ่มขึ้น ตลาดมองว่าเป็น “ตัวเลือกในระดับรองที่ไม่ได้กิน HBM โดยตรง แต่ถูกส่งเสริมจากผลการถูกดันออก（排擠效應）”
โรงงานโมดูล：威剛（3260）、十銓（4967）、创见、宇瞻
โรงงานโมดูลหน่วยความจำมีสัดส่วนการใช้งานระดับไฮเอนด์ในเกมมิ่ง เซิร์ฟเวอร์ และการจัดเก็บข้อมูลสำหรับองค์กรค่อนข้างสูงมาก เมื่อผู้ผลิตต้นทาง（南亞科、美光、SK 海力士、三星）จัดสรรกำลังการผลิตไปที่ HBM เป็นลำดับแรก แรงกดดันด้านต้นทุนสำหรับโมดูลจะเพิ่มขึ้นจากการได้ชิปเกรน DRAM แบบธรรมดามากขึ้น แต่สิ่งนี้สะท้อนออกมาในฝั่งราคาขายที่ปรับขึ้นได้เร็วกว่า และอัตรากำไรขั้นต้นที่ขยายตัว 威剛 และ十銓 ในฤดูกาลนี้ สัดส่วนรายได้จากโมดูลเกมมิ่งระดับไฮเอนด์ยังคงเพิ่มขึ้นต่อเนื่อง
ซิลิคอนเวเฟอร์ส่วนต้นน้ำ：中美晶、合晶
การขยายกำลังการผลิต HBM และ DRAM ล้วนต้องใช้ซิลิคอนเวเฟอร์ขนาด 12 นิ้ว หลังจาก 南亞科 เข้าซัพพลายเชน Vera Rubin ของ NVIDIA แล้ว 中美晶（5483）และ 合晶（6182）ในฐานะผู้จัดหาซิลิคอนเวเฟอร์ก็ได้อานิสงส์ไปพร้อมกัน ลักษณะของห่วงโซ่นี้คือ “เริ่มต้น Capex → ความต้องการเวเฟอร์เพิ่มขึ้น → กำลังการผลิตตึงตัว” ในรอบนี้ แรงส่งการดำเนินงานของ 合晶 อุ่นขึ้นอย่างเห็นได้ชัด
จุดจับตาฝั่ง SK 海力士、三星
ในบรรดา DRAM 3 ยักษ์เกาหลี SK 海力士 เนื่องจากเป็นผู้นำด้าน HBM จึงประกาศจ่ายโบนัสประมาณ 3,000 万台幣 ต่อคนในปี 2026 สะท้อนถึงความแข็งแกร่งของกระแสเงินสดจากการทำเงินของสาย AI เมื่อเทียบกับการที่ซัมซุงมีข่าวการหยุดงานประท้วงโรงงานอีกครั้งในเดือนนี้（Google Trends 4/27 มีคำค้น “三星罷工”） พลวัตด้านแรงงานภายในของ 2 โรงงานใหญ่ฝั่งเกาหลีจะส่งผลโดยตรงต่อจังหวะการจัดหา HBM และ DDR5 ทั่วโลก และจะดึงพื้นที่ให้บริษัทในไต้หวันเข้ามาแทนอย่างทางอ้อม
ไม่ใช่ฟองสบู่: วัฏจักรเศรษฐกิจและความต้องการเชิงโครงสร้างของ AI อยู่ร่วมกัน
โดยธรรมชาติแล้ว หน่วยความจำเป็นหุ้นวัฏจักรสูง แต่ความแตกต่างของรอบนี้จากปี 2017 และ 2021 คือ การที่ “ความต้องการเชิงโครงสร้างของ AI” และ “ผลการถูกดันออกของ DRAM（DRAM 排擠效應）” ทำงานพร้อมกันเป็นสองแกน จุดสังเกตถัดไปคือรายงานการเงิน Q1 ปี 26 ของ SK 海力士、美光、三星（เผยแพร่ทยอยกันช่วงต้นเดือนพฤษภาคม）และดูว่ากำหนดการ ramp-up จริงของ NVIDIA Vera Rubin จะต่อเนื่องไปถึงครึ่งแรกของปี 2027 หรือไม่ สำหรับบริษัทในไต้หวัน ความคุกรุ่นในรอบนี้อย่างน้อยจะต้องดำรงอยู่จนถึงรายงานการเงินไตรมาส 3 จึงจะมีการยืนยัน/สัญญาณถอยกลับอย่างชัดเจน
บทความนี้ HBM ห่วงโซ่ระเบิดครั้งใหญ่：南亞科、華邦電、十銓、威剛、中美晶 วิเคราะห์พลังงานเต็มพิกัด ปรากฏเป็นครั้งแรกใน 鏈新聞 ABMedia。
