三星、SK 海力士 HBM4 价格因 AI 需求飙升而翻倍
三星电子、SK 海力士和美光预计明年 HBM4 内存价格将翻倍,台湾《DigiTimes》援引多位行业消息人士称。该预测显示,HBM4 定价将从今年下半年约 2 美元/千兆位(Gb)上调至明年 4-5 美元/Gb 或更高;同时,当前 HBM3E 价格为 1.5-1.6 美元/Gb,也预计将上涨。这三家全球内存制造商预计将在今年第四季度左右敲定明年的 HBM 供货定价。价格上涨归因于英伟达下一代 AI 平台 Verarubin 将于今年下半年发布前的需求激增,同时还叠加了生产瓶颈以及长期供货协议(LTA)范围的扩大。HBM 制造大约消耗标准 DDR5 DRAM 硅片产能的三倍;HBM4 的总生产周期为 4-6 个月,而 DDR5 为 3-3.5 个月,从而在 AI 基础设施建设中加剧了供应紧张。 HBM4 生产瓶颈驱动供应紧张 据《DigiTimes》援引的行业专家称,HBM 制造所需的硅片产能约为标准 DDR5 DRAM 的三倍。HBM4 的总生产周期为 4-6 个月,最长可达 DDR5 所需 3-3.5 个月的两倍;同时,较低的初始良率也进一步施压价格。行业分析师认为,这些显著的价格
Lucas Bennett ·07-12 10:45
